VISHAY SISH434DN-T1-GE3
Артикул: C7316369
Part Number: SISH434DN-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.425900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.121400 ₽ |
| 200 шт. | 0.448600 ₽ |
| 500 шт. | 0.433500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.425900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 17.6A;35A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.8W;52W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 7.6mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 40nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.53nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 100pF |
Описание
40V 2.2V 7.6mΩ@10V 1 N-канальный одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS