VISHAY SIHF12N65E-GE3
Артикул: C7316121
Part Number: SIHF12N65E-GE3
Производитель: VISHAY
от 1.108000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.923800 ₽ |
| 200 шт. | 1.166700 ₽ |
| 500 шт. | 1.128600 ₽ |
| 1000 шт. | 1.108000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 12A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 33W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 380mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 70nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.224nF |
Описание
650V 12A 2V 33W 380mΩ@10V 1 N-канальный TO-220 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS