VISHAY SIHB100N60E-GE3
Артикул: C7316097
Part Number: SIHB100N60E-GE3
Производитель: VISHAY
от 2.403500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 6.336500 ₽ |
| 200 шт. | 2.528300 ₽ |
| 500 шт. | 2.444600 ₽ |
| 1000 шт. | 2.403500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 600V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 19A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 208W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | - |
| Заряд затвора (Qg) | 50nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.851nF |
Описание
600V 19A 3V 208W 1 N-канальный D2PAK(TO-263) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS