Мощность, один, P-канальный MOSFET с Шоттки диод
Артикул: C730375
Part Number: NTMD4184PFR2G
Производитель: onsemi
от 1.208000 ₽
В наличии: 50 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.978900 ₽ |
| 10 шт. | 1.690800 ₽ |
| 30 шт. | 1.510300 ₽ |
| 100 шт. | 1.326700 ₽ |
| 500 шт. | 1.242800 ₽ |
| 1000 шт. | 1.208000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.6W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 95mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 5.8nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 280pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 52pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 80pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
1.6W 30V 4A 3V 95mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный SOIC-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS