VISHAY SIRA58DP-T1-GE3
Артикул: C727751
Part Number: SIRA58DP-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.222300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.603500 ₽ |
| 200 шт. | 0.233100 ₽ |
| 500 шт. | 0.225400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.222300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 25V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 185A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 65.7W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.65mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 75nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.45nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 206pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.32nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | - |
Описание
65.7W 25V 185A 2.2V 2.65mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный PowerPAK-SO-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS