VISHAY SISA66DN-T1-GE3
Артикул: C727669
Part Number: SISA66DN-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.180600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.492400 ₽ |
| 200 шт. | 0.191400 ₽ |
| 500 шт. | 0.185300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.180600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 29.8A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.7W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.3mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 66nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.014nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 62pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.032nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | - |
Описание
3.7W 30V 29.8A 2.2V 2.3mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный PowerPAK1212-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)