VISHAY SI3460BDV-T1-GE3
Артикул: C727618
Part Number: SI3460BDV-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.146400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.399200 ₽ |
| 200 шт. | 0.154500 ₽ |
| 500 шт. | 0.149100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.146400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 8A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 27mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 13.5nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 860pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 65pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 110pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±8V |
Описание
2W 20V 8A 1V 27mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный TSOP-6-1.5mm одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)