VISHAY SI3493BDV-T1-GE3
Артикул: C727595
Part Number: SI3493BDV-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.290200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.789900 ₽ |
| 200 шт. | 0.305800 ₽ |
| 500 шт. | 0.294900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.290200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 8A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2.08W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 400mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 27.5mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 26.2nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.805nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 245pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 285pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±8V |
Описание
2.08W 20V 8A 400mV 27.5mΩ@4.5V 1 P-канальный P-канальный TSOP-6-1.5mm одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS