VISHAY SIS444DN-T1-GE3
Артикул: C727570
Part Number: SIS444DN-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.146200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.398700 ₽ |
| 200 шт. | 0.154300 ₽ |
| 500 шт. | 0.148900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.146200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 35A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.7W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3.3mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 102nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.065nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 360pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 406pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
3.7W 30V 35A 1.2V 3.3mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный PowerPAK1212-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS