VISHAY SIHD3N50DT1-GE3
Артикул: C727559
Part Number: SIHD3N50DT1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.148900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.406100 ₽ |
| 200 шт. | 0.157200 ₽ |
| 500 шт. | 0.151700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.148900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 500V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 3A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 69W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.6Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 6nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 175pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 21pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
69W 500V 3A 5V 2.6Ω@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS