VISHAY SI5515CDC-T1-E3
Артикул: C727505
Part Number: SI5515CDC-T1-E3
Производитель: VISHAY
от 0.133700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.364500 ₽ |
| 200 шт. | 0.141100 ₽ |
| 500 шт. | 0.136100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.133700 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel + P-Channel |
| Количество | 1 N-Channel + 1 P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 30mΩ@4.5V;83mΩ@4.5V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.1W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 800mV |
| Заряд затвора (Qg) | 6.5nC;6.2nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 632pF;455pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 40pF;54pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 80pF;70pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±8V |
Описание
20V 4A 3.1W 800mV 1 N-канальный + 1 P-канальный ChipFET1206-8 сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS