VISHAY SI2314EDS-T1-GE3
Артикул: C727504
Part Number: SI2314EDS-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.133700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.364500 ₽ |
| 200 шт. | 0.141100 ₽ |
| 500 шт. | 0.136100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.133700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4.9A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.25W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 950mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 33mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 14nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 120pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 30pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 600pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±12V |
Описание
1.25W 20V 4.9A 950mV 33mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный TO-236-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS