VISHAY SI8851EDB-T2-E1
Артикул: C727502
Part Number: SI8851EDB-T2-E1
Производитель: VISHAY
от 0.100600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.274200 ₽ |
| 200 шт. | 0.106200 ₽ |
| 500 шт. | 0.102400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.100600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 7.7A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 660mW |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 450mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 8mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 180nC@8V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 6.9nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 715pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 640pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±8V |
Описание
660mW 20V 7.7A 450mV 8mΩ@4.5V 1 P-канальный P-канальный MicroFoot-30 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS