VISHAY SIS435DNT-T1-GE3
Артикул: C727493
Part Number: SIS435DNT-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.508100 ₽
В наличии: 20 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.535900 ₽ |
| 10 шт. | 0.524500 ₽ |
| 30 шт. | 0.516300 ₽ |
| 100 шт. | 0.508100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 30A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.7W;39W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 400mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5.4mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 180nC@8V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 5.7nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 585pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 620pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±8V |
Описание
20V 30A 400mV 5.4mΩ@4.5V 1 P-канальный P-канальный PowerPAK1212-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS