VISHAY SIS415DNT-T1-GE3
Артикул: C727492
Part Number: SIS415DNT-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.827700 ₽
В наличии: 54 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.281000 ₽ |
| 10 шт. | 1.095400 ₽ |
| 30 шт. | 1.003400 ₽ |
| 100 шт. | 0.909800 ₽ |
| 500 шт. | 0.855600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.827700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 35A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.7W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 400mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 55.5nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 5.46nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 642pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 645pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±12V |
Описание
3.7W 20V 35A 400mV 4mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный PowerPAK1212-8S одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS