VISHAY SI2316DS-T1-GE3
Артикул: C727461
Part Number: SI2316DS-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.114600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.312400 ₽ |
| 200 шт. | 0.120900 ₽ |
| 500 шт. | 0.116700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.114600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 3.4A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 600mW |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 800mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 50mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 7nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 215pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 55pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 90pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
600mW 30V 3.4A 800mV 50mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-236-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS