VISHAY SIA445EDJT-T1-GE3
Артикул: C727446
Part Number: SIA445EDJT-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.332700 ₽
В наличии: 50 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.622800 ₽ |
| 10 шт. | 0.504800 ₽ |
| 30 шт. | 0.445800 ₽ |
| 100 шт. | 0.386800 ₽ |
| 500 шт. | 0.352400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.332700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 11.8A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.5W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 500mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 16.7mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 22nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.18nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 261pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 275pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±12V |
Описание
3.5W 20V 11.8A 500mV 16.7mΩ@4.5V 1 P-канальный P-канальный PowerPAK-SC-70-6L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)