VISHAY SI5458DU-T1-GE3
Артикул: C727419
Part Number: SI5458DU-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.095500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.260400 ₽ |
| 200 шт. | 0.100800 ₽ |
| 500 шт. | 0.097200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.095500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 6A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.5W;10.4W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 41mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 2.8nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 325pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 30pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 60pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
30V 6A 3V 41mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный ChipFET-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS