VISHAY SI8812DB-T2-E1
Артикул: C727314
Part Number: SI8812DB-T2-E1
Производитель: VISHAY
от 0.060200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.164000 ₽ |
| 200 шт. | 0.063500 ₽ |
| 500 шт. | 0.061300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.060200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 3.2A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 500mW |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 400mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 59mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 6.3nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 700pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 350pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±8V |
Описание
500mW 20V 3.2A 400mV 59mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный UFBGA-4 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS