VISHAY SI8806DB-T2-E1
Артикул: C727308
Part Number: SI8806DB-T2-E1
Производитель: VISHAY
от 0.063700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.173600 ₽ |
| 200 шт. | 0.067200 ₽ |
| 500 шт. | 0.064800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.063700 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 12V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 3.9A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 500mW |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 400mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 43mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 17nC@8V |
| Входная ёмкость (Ciss) | - |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±8V |
Описание
500mW 12V 3.9A 400mV 43mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный XFBGA-4 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS