VISHAY SI8819EDB-T2-E1
Артикул: C727288
Part Number: SI8819EDB-T2-E1
Производитель: VISHAY
от 0.046800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.127500 ₽ |
| 200 шт. | 0.049400 ₽ |
| 500 шт. | 0.047700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.046800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 12V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 2.9A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 500mW |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 400mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 80mΩ@3.7V |
| Заряд затвора (Qg) | 17nC@8V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 620pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 130pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 140pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±8V |
Описание
500mW 12V 2.9A 400mV 80mΩ@3.7V 1 P-канальный P-канальный MicroFoot-4 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)