DIODES DMT64M1LCG-13
Артикул: C7264724
Part Number: DMT64M1LCG-13
Производитель: DIODES
от 0.412200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.085100 ₽ |
| 200 шт. | 0.433500 ₽ |
| 500 шт. | 0.418300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.412200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 65V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 16.7A;67.8A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.2W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5.4mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 51.4nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.626nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 91pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 905pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
1.2W 65V 2.5V 5.4mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный VDFN3333-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS