DIODES DMN10H170SVT-13
Артикул: C7264612
Part Number: DMN10H170SVT-13
Производитель: DIODES
от 0.144900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.382200 ₽ |
| 200 шт. | 0.152500 ₽ |
| 500 шт. | 0.147400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.144900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 2.6A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.2W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 160mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 9.7nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.167nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 25pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 36pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
1.2W 100V 2.6A 3V 160mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TSOT-26 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS