CoolSiC 1200 V SiC траншейный MOSFET: кремний карбид MOSFET с.XT соединение Technology
Артикул: C7207676
Part Number: IMZA120R020M1HXKSA1
Производитель: Infineon
от 10.354700 ₽
В наличии: 1 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 13.090400 ₽ |
| 10 шт. | 12.446500 ₽ |
| 30 шт. | 11.328700 ₽ |
| 90 шт. | 10.354700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 98A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 375W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 19mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 27.1nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.46nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 23pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 159pF |
Описание
N-канальный 1.2kV 98A 375W монтаж в отверстия TO-247-4