Дарлингтона транзисторы, NPN кремний

Дарлингтона транзисторы, NPN кремний

Артикул: C719820 Part Number: MPSA29 Производитель: onsemi
от 0.173200 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.298400 ₽
50 шт. 0.245000 ₽
150 шт. 0.222100 ₽
1000 шт. 0.193600 ₽
2000 шт. 0.180900 ₽
5000 шт. 0.173200 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 100V
Ток коллектора (Ic) 500mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 625mW
Рабочая температура -55℃~+150℃
Коэффициент усиления по постоянному току 10000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.5V
Ток отсечки коллектора 100nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 12V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 1.4V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 200MHz

Описание

100V 10000 500mA NPN TO-92 одиночные биполярные транзисторы RoHS