Infineon FZ800R12KS4B2
Артикул: C7197177
Part Number: FZ800R12KS4B2
Производитель: Infineon
от 1566.622600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4132.642200 ₽ |
| 200 шт. | 1648.951400 ₽ |
| 500 шт. | 1593.849900 ₽ |
| 1000 шт. | 1566.622600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.5V;1.64V;1.72V |
| Заряд затвора (Qg) | 920nC@600V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Входная ёмкость (Cies) | 11.1nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 39pF |
| Время задержки включения Td(on) | 18.3ns;29.8ns;35ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 270ns;325ns;360ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.41mJ;4.3mJ;5.45mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.9mJ;4.72mJ;6.12mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
50A 1.2kV IGBT модуль одиночные IGBT-транзисторы