Infineon BSM100GAL120DLCK
Артикул: C7091991
Part Number: BSM100GAL120DLCK
Производитель: Infineon
от 116.410200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 307.079600 ₽ |
| 200 шт. | 122.526400 ₽ |
| 500 шт. | 118.433300 ₽ |
| 1000 шт. | 116.410200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 835W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+125℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | - |
| Входная ёмкость (Cies) | 6.5nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 500pF |
| Время задержки включения Td(on) | 60ns |
| Время задержки выключения Td(off) | - |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 10mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 12mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
835W 100A 1.2kV IGBT модуль одиночные IGBT-транзисторы RoHS