VISHAY SIS822DNT-T1-GE3
Артикул: C7080577
Part Number: SIS822DNT-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.090100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.237600 ₽ |
| 200 шт. | 0.094900 ₽ |
| 500 шт. | 0.091700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.090100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 12A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.2W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 24mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 12nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 435pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 42pF |
Описание
30V 12A 2.5V 3.2W 24mΩ@10V 1 N-канальный одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS