ROHM RGT8NS65DGTL
Артикул: C7044785
Part Number: RGT8NS65DGTL
Производитель: ROHM
от 2.095800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.183500 ₽ |
| 10 шт. | 2.146200 ₽ |
| 30 шт. | 2.120200 ₽ |
| 100 шт. | 2.095800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 65W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 8A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃@(Tj) |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.1V@4A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 13.5nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V@2.8mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 220pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 14pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 4.5pF |
| Время задержки включения Td(on) | 17ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 69ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | - |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | - |
| Время обратного восстановления (trr) | 40ns |
Описание
65W 8A 650V TO-263-3 одиночные IGBT-транзисторы RoHS