VISHAY SIHB4N80E-GE3
Артикул: C7011035
Part Number: SIHB4N80E-GE3
Производитель: VISHAY
от 1.044500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.752400 ₽ |
| 200 шт. | 1.098400 ₽ |
| 500 шт. | 1.061900 ₽ |
| 1000 шт. | 1.044500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 800V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4.3A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 69W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.1Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 32nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 622pF |
Описание
800V 4.3A 2V 69W 1.1Ω@10V 1 N-канальный D2PAK(TO-263) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS