Infineon IPB025N10N3GE8187ATMA1
Артикул: C6969182
Part Number: IPB025N10N3GE8187ATMA1
Производитель: Infineon
от 2.869800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 7.571300 ₽ |
| 200 шт. | 3.020600 ₽ |
| 500 шт. | 2.920600 ₽ |
| 1000 шт. | 2.869800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 180A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 206nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 14.8nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 69pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.94nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
300W 100V 180A 3.5V 2.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-263-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS