1200V SiC траншейный MOSFET
Артикул: C6968948
Part Number: IMW120R007M1HXKSA1
Производитель: Infineon
от 57.957800 ₽
В наличии: 4 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 60.000100 ₽ |
| 10 шт. | 57.957800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 225A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 750W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 9.9mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 220nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 9.17uF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 61pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 420pF |
Описание
1.2kV 225A 5.2V 750W 9.9mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS