1700V SiC траншейный MOSFET
Артикул: C6968776
Part Number: IMBF170R450M1XTMA1
Производитель: Infineon
от 4.052800 ₽
В наличии: 96 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 5.880100 ₽ |
| 10 шт. | 5.018100 ₽ |
| 30 шт. | 4.493700 ₽ |
| 100 шт. | 4.052800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.7kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 9.8A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 107W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 450mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 11nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 610pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.7pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 16pF |
Описание
1.7kV 9.8A 5.7V 107W 450mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-263-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS