Wuxi China Resources Huajing Microelectronics BT60T60ANFK

Wuxi China Resources Huajing Microelectronics BT60T60ANFK

Артикул: C696835 Part Number: BT60T60ANFK Производитель: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics
от 2.485700 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 3.535200 ₽
10 шт. 3.143700 ₽
25 шт. 2.898400 ₽
100 шт. 2.648200 ₽
500 шт. 2.534500 ₽
1000 шт. 2.485700 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT FS (Field Stop)
Рассеиваемая мощность (Pd) 403W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 600V
Ток коллектора (Ic) 60A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.85V
Заряд затвора (Qg) 117nC@15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 5.4V
Входная ёмкость (Cies) 3.398nF
Выходная ёмкость (Coes) 224pF
Проходная ёмкость (Cres) 44pF
Время задержки включения Td(on) 66ns
Время задержки выключения Td(off) 152ns
Энергия потерь при включении (Eon) 4.79mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 1.39mJ
Время обратного восстановления (trr) 80ns

Описание

403W 60A 600V FS (ограничение поля) TO-3PN одиночные IGBT-транзисторы