Wuxi China Resources Huajing Microelectronics BT50T60ANFK
Артикул: C696834
Part Number: BT50T60ANFK
Производитель: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics
от 2.425600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.449100 ₽ |
| 10 шт. | 3.067300 ₽ |
| 25 шт. | 2.828500 ₽ |
| 100 шт. | 2.583200 ₽ |
| 500 шт. | 2.472700 ₽ |
| 1000 шт. | 2.425600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 416W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 600V |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.8V |
| Заряд затвора (Qg) | 303nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.36V |
| Входная ёмкость (Cies) | 7.719nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 189pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 123pF |
| Время задержки включения Td(on) | 94ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 335ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 3.53mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.4mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 80ns |
Описание
416W 50A 600V FS (ограничение поля) TO-3PN одиночные IGBT-транзисторы