Wuxi China Resources Huajing Microelectronics BT25T120CKR

Wuxi China Resources Huajing Microelectronics BT25T120CKR

Артикул: C696830 Part Number: BT25T120CKR Производитель: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics
от 1.740000 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 2.476000 ₽
10 шт. 2.201400 ₽
25 шт. 2.029200 ₽
100 шт. 1.853700 ₽
500 шт. 1.774100 ₽
1000 шт. 1.740000 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT FS (Field Stop)
Рассеиваемая мощность (Pd) 208W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.2kV
Ток коллектора (Ic) 50A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -55℃~+150℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.95V@25A,15V
Заряд затвора (Qg) 145nC@25A,15V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 5.8V@250uA
Входная ёмкость (Cies) 2.37nF@30V
Выходная ёмкость (Coes) 59pF
Проходная ёмкость (Cres) 43pF
Время задержки включения Td(on) 34ns
Время задержки выключения Td(off) 198ns
Энергия потерь при включении (Eon) 1.88mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 950uJ
Время обратного восстановления (trr) -

Описание

208W 50A 1.2kV FS (ограничение поля) TO-247-3 одиночные IGBT-транзисторы