TO-252-2L пластик-герметизация транзисторы, комплементарный дарлингтона мощность транзисторы, Dpak для поверхностный монтаж применения

TO-252-2L пластик-герметизация транзисторы, комплементарный дарлингтона мощность транзисторы, Dpak для поверхностный монтаж применения

Артикул: C69605 Part Number: MJD112 Производитель: JSCJ
от 0.117900 ₽ В наличии: 955 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.230700 ₽
50 шт. 0.185200 ₽
150 шт. 0.165800 ₽
500 шт. 0.141500 ₽
2500 шт. 0.124400 ₽
5000 шт. 0.117900 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 100V
Рассеиваемая мощность (Pd) 1W
Ток коллектора (Ic) 2A
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 12000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 3V@4A,40mA
Ток отсечки коллектора 20uA
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) -
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 25MHz

Описание

100V 12000 2A NPN TO-252-2L одиночные биполярные транзисторы RoHS