Комплементарный мощность дарлингтона транзисторы

Комплементарный мощность дарлингтона транзисторы

Артикул: C6939786 Part Number: TIP122 Производитель: Cmos
от 0.221800 ₽ В наличии: 200 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.455600 ₽
50 шт. 0.327300 ₽
150 шт. 0.293700 ₽
500 шт. 0.251700 ₽
2000 шт. 0.233000 ₽
5000 шт. 0.221800 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 100V
Ток коллектора (Ic) 5A
Рассеиваемая мощность (Pd) 65W
Рабочая температура -
Коэффициент усиления по постоянному току 1000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 4V@5A,20mA
Ток отсечки коллектора 200uA
Напряжение эмиттер–база VEBO 5V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 2.5V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -

Описание

100V 1000 5A NPN TO-220 одиночные биполярные транзисторы RoHS