Комплементарный мощность дарлингтона транзисторы
Артикул: C6939781
Part Number: MJD122G
Производитель: Cmos
от 0.129000 ₽
В наличии: 2080 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.254600 ₽ |
| 50 шт. | 0.202600 ₽ |
| 150 шт. | 0.180300 ₽ |
| 500 шт. | 0.152500 ₽ |
| 2500 шт. | 0.136500 ₽ |
| 5000 шт. | 0.129000 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 100V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20W |
| Ток коллектора (Ic) | 8A |
| Рабочая температура | - |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 8000 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 4V@8A,80mA |
| Ток отсечки коллектора | 10uA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | 4.5V |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | 2.8V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
Описание
100V 8000 8A NPN TO-252(DPAK) одиночные биполярные транзисторы RoHS