Cmos MJD112T4G
Артикул: C6939779
Part Number: MJD112T4G
Производитель: Cmos
от 0.101400 ₽
В наличии: 70 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.217900 ₽ |
| 50 шт. | 0.178600 ₽ |
| 150 шт. | 0.161800 ₽ |
| 500 шт. | 0.140800 ₽ |
| 2500 шт. | 0.107000 ₽ |
| 5000 шт. | 0.101400 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 100V |
| Ток коллектора (Ic) | 2A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 20W |
| Рабочая температура | - |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 1000;5000;10000 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.5V |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | - |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | 2.5V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
Описание
100V 2A NPN TO-252 одиночные биполярные транзисторы RoHS