DIODES DMT10H025LSS-13
Артикул: C6934905
Part Number: DMT10H025LSS-13
Производитель: DIODES
от 0.254600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.671400 ₽ |
| 200 шт. | 0.268300 ₽ |
| 500 шт. | 0.259200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.254600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 7.1A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.3W;12.9W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 25mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 22.9nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.639nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 13pF |
Описание
100V 7.1A 3V 25mΩ@10V 1 N-канальный SO-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS