Высокий коэффициент усиления по постоянному току, встроенный демпфер диод, NPN эпитаксиальный планарный транзисторы
Артикул: C6904173
Part Number: MJD122-TP
Производитель: MCC
от 0.297400 ₽
В наличии: 440 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.508600 ₽ |
| 10 шт. | 0.419200 ₽ |
| 30 шт. | 0.380200 ₽ |
| 100 шт. | 0.331500 ₽ |
| 500 шт. | 0.310400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.297400 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 100V |
| Ток коллектора (Ic) | 8A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.5W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 1000 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 4V@8A,80mA |
| Ток отсечки коллектора | 10uA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | 4.5V |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
Описание
100V 1000 8A NPN DPAK(TO-252) одиночные биполярные транзисторы RoHS