Высоковольтный высокий боковой/ низкий боковой N-канальный MOSFET драйвер

Высоковольтный высокий боковой/ низкий боковой N-канальный MOSFET драйвер

Артикул: C688589 Part Number: LTC4446EMS8E#PBF Производитель: ADI
от 7.229400 ₽ В наличии: 32 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 10.015400 ₽
10 шт. 8.701300 ₽
30 шт. 7.901100 ₽
100 шт. 7.229400 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип нагрузки MOSFET
Конфигурация управления Half-Bridge
Время задержки высокого уровня 22ns
Время задержки низкого уровня 25ns
Время спада 5ns
Время нарастания 8ns
Выходной ток высокого уровня (IOH) 2.5A
Напряжение питания 7.2V~13.5V
Выходной ток низкого уровня (IOL) 3A
Особенности Interleaved conduction protection;Enable shutdown
Ток покоя 350uA
Входной логический уровень — низкий 1.85V~2.75V
Входной логический уровень — высокий 2.25V~3.25V

Описание

7.2V~13.5V 3A 2.5A MSOP-8-EP драйверы затворов RoHS