1200V SiC траншейный MOSFET с XT соединение technology
Артикул: C6879142
Part Number: IMBG120R350M1HXTMA1
Производитель: Infineon
от 4.305200 ₽
В наличии: 20 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.555900 ₽ |
| 10 шт. | 4.447800 ₽ |
| 30 шт. | 4.377300 ₽ |
| 100 шт. | 4.305200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4.7A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 65W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 350mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 5.9nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 196pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.94pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 9pF |
Описание
1.2kV 4.7A 5.7V 65W 350mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-263-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS