HXY MOSFET HXY7N65F
Артикул: C6851448
Part Number: HXY7N65F
Производитель: HXY MOSFET
от 0.169100 ₽
В наличии: 35 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.340500 ₽ |
| 50 шт. | 0.267400 ₽ |
| 150 шт. | 0.236000 ₽ |
| 500 шт. | 0.196900 ₽ |
| 2500 шт. | 0.179500 ₽ |
| 5000 шт. | 0.169100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 7A |
| Рабочая температура | -45℃~+125℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 35W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.2Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 24nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.13nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 5.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 93pF |
Описание
650V 7A 4V 35W 1.2Ω@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)