DIODES DMT67M8LCGQ-13
Артикул: C6832281
Part Number: DMT67M8LCGQ-13
Производитель: DIODES
от 0.472900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.244300 ₽ |
| 200 шт. | 0.497100 ₽ |
| 500 шт. | 0.480500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.472900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 16A;64.6A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 900mW |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5.7mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 37.5nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.13nF |
Описание
60V 2.5V 900mW 5.7mΩ@10V 1 N-канальный VDFN3333-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS