DIODES DMN10H170SFGQ-13
Артикул: C6832181
Part Number: DMN10H170SFGQ-13
Производитель: DIODES
от 0.280400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.739600 ₽ |
| 200 шт. | 0.295600 ₽ |
| 500 шт. | 0.285000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.280400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 2.9A;8.5A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 940mW |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 122mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 14.9nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 870.7pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 24.6pF |
Описание
100V 3V 940mW 122mΩ@10V 1 N-канальный PowerDI3333-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS