VISHAY SISH410DN-T1-GE3
Артикул: C6816948
Part Number: SISH410DN-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.447100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.179100 ₽ |
| 200 шт. | 0.471400 ₽ |
| 500 шт. | 0.454700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.447100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 22A;35A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.8W;52W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4.8mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 41nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.6nF |
Описание
20V 2.5V 4.8mΩ@10V 1 N-канальный одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS