DIODES ZTX853QSTZ
Артикул: C6760906
Part Number: ZTX853QSTZ
Производитель: DIODES
от 0.601700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.586800 ₽ |
| 200 шт. | 0.633500 ₽ |
| 500 шт. | 0.612300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.601700 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 100V |
| Ток коллектора (Ic) | 4A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.2W |
| Рабочая температура | -55℃~+200℃ |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 200mV |
| Ток отсечки коллектора | 50nA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 130MHz |
Описание
100V 100 4A NPN одиночные биполярные транзисторы