DIODES ZTX614QSTZ
Артикул: C6760889
Part Number: ZTX614QSTZ
Производитель: DIODES
от 0.268300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.707800 ₽ |
| 200 шт. | 0.283500 ₽ |
| 500 шт. | 0.274400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.268300 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 100V |
| Ток коллектора (Ic) | 800mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1W |
| Рабочая температура | -55℃~+200℃@(Tj) |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 10000 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.25V |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | - |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | 1.8V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
Описание
100V 10000 800mA NPN одиночные биполярные транзисторы